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品类: 开发套件与开发板描述: 氮化镓HEMT的SiC脉冲功率晶体管250W峰值, 1400至00年兆赫, 300μs脉冲, 10 %占空比 GaN on SiC HEMT Pulsed Power Transistor 250W Peak, 1200-1400 MHz, 300μs Pulse, 10% Duty63461+¥14488.606010+¥14356.891425+¥14291.034150+¥14225.1768100+¥14159.3195150+¥14093.4622250+¥14027.6049500+¥13961.7476
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品类: 开发套件与开发板描述: 2.25 V电压可变衰减器吸收, 42分贝1.8 - 2.5 GHz的 2.25 V Voltage Variable Absorptive Attenuator, 42 dB 1.8 - 2.5 GHz36111+¥5029.101010+¥4983.381925+¥4960.522450+¥4937.6628100+¥4914.8033150+¥4891.9437250+¥4869.0842500+¥4846.2246